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閃爍晶體的X或Y水平射線(xiàn)有著較高的發(fā)光效率,由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測(cè)設(shè)備中,比如機(jī)場(chǎng),火車(chē)站,自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。在HVPE過(guò)程中,鹽酸反應(yīng)生成GaCl,而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化鎵單晶基板。
磷化鎵(GaP)晶體基片
與鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)體有很好的晶格匹配 的鐵電薄膜襯底材料
砷化鎵(GaAs)晶體基片
碲化鎘(CdTe)晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線(xiàn)檢測(cè);紅外光學(xué);外延基片;蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。
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