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簡(jiǎn)要描述:AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法,用來取代氮化鋁單晶襯底??凭д嬲\(chéng)歡迎您的垂詢!
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產(chǎn)品名稱: | 氮化鋁(AlN)薄膜 | ||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介: | AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法,用來取代氮化鋁單晶襯底??凭д嬲\(chéng)歡迎您的垂詢! | ||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù): |
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產(chǎn)品規(guī)格: | 氮化鋁(藍(lán)寶石襯底):dia2"*1500nm±10% 注:可根據(jù)客戶需求定制特殊的方向和尺寸。 | ||||||||||||||||
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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