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BGO晶體基片

簡要描述:BGO晶體基片

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-10-22
  • 訪  問  量:2254

詳細介紹

產(chǎn)品名稱:

鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)晶體基片

產(chǎn)品簡介:

鍺酸鉍(Bi4Ge3O12簡稱BGO)是一種具有立方結(jié)構(gòu)、無色透明的無機氧化物晶體,它不溶于水,在高能粒子或高能射線(x-射線、γ-射線)激發(fā)下能發(fā)出峰值為480nm波長的綠色熒光。BGO晶體具有強阻止射線能力、高閃爍效率、優(yōu)良的能量分辨率及不潮解等優(yōu)點,所以是一種優(yōu)良的閃爍體,廣泛應用于高能物理、核物理、空間物理、核醫(yī)學、地質(zhì)勘察和其它工業(yè)領(lǐng)域。

技術(shù)參數(shù):

 基本性質(zhì)

晶向

<100>

晶體結(jié)構(gòu)

立方

晶格常數(shù)

a=10.518?

生長方法

提拉法

熔點

1050℃

密度

7.12g/cm3

莫氏硬度

5 Mohs

透過范圍

350~5500nm

電光系數(shù) (x10-12m/V )

 r41    1.03

折射率

 2.098@ 632.8nm

激發(fā)光譜

 305nm

熒光光譜

 480~510nm

相對光輸出

 10~14%     Nal (Tl)

衰減時間

 300ns

臨界能量

 10.5Mev

能量分辨率(511千電子伏特)

 20%


產(chǎn)品規(guī)格:

可按客戶要求定制尺寸

標準包裝:

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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