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非極性GaN晶體基片

簡(jiǎn)要描述:非極性GaN晶體基片

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2024-10-22
  • 訪  問(wèn)  量:2024

詳細(xì)介紹


產(chǎn)品名稱:

非極性氮化鎵(GaN)晶體基片

技術(shù)參數(shù):

晶體定位面:

A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.

傳導(dǎo)類型:

N型;半絕緣型

電阻率:

R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm

表面粗糙度:

<0.5nm

位錯(cuò)密度:

<5x106Ω.cm

可用表面積:

>90%

TTV:

≤15um;


產(chǎn)品規(guī)格:

常規(guī)尺寸:10x5x0.5mm;

厚度公差:+/-0.05mm;

注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋

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